Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM50DHM65T3G
MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3
Číslo dílu
APTM50DHM65T3G
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP3
Výkon - Max
390W
Dodavatelský balíček zařízení
SP3
Typ FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
51A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
78 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
340nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10800pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40249 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM50DHM65T3G
APTM50DHM65T3G Elektronické komponenty
APTM50DHM65T3G Odbyt
APTM50DHM65T3G Dodavatel
APTM50DHM65T3G Distributor
APTM50DHM65T3G Datová tabulka
APTM50DHM65T3G Fotky
APTM50DHM65T3G Cena
APTM50DHM65T3G Nabídka
APTM50DHM65T3G Nejnižší cena
APTM50DHM65T3G Vyhledávání
APTM50DHM65T3G Nákup
APTM50DHM65T3G Chip