Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM50H10FT3G
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
Číslo dílu
APTM50H10FT3G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP3
Výkon - Max
312W
Dodavatelský balíček zařízení
SP3
Typ FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
37A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4367pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10299 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM50H10FT3G
APTM50H10FT3G Elektronické komponenty
APTM50H10FT3G Odbyt
APTM50H10FT3G Dodavatel
APTM50H10FT3G Distributor
APTM50H10FT3G Datová tabulka
APTM50H10FT3G Fotky
APTM50H10FT3G Cena
APTM50H10FT3G Nabídka
APTM50H10FT3G Nejnižší cena
APTM50H10FT3G Vyhledávání
APTM50H10FT3G Nákup
APTM50H10FT3G Chip