Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTML20UM18R010T1AG
MOSFET N-CH 200V 109A SP1
Číslo dílu
APTML20UM18R010T1AG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP1
Dodavatelský balíček zařízení
SP1
Ztráta energie (max.)
480W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
109A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
19 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9880pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23815 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTML20UM18R010T1AG
APTML20UM18R010T1AG Elektronické komponenty
APTML20UM18R010T1AG Odbyt
APTML20UM18R010T1AG Dodavatel
APTML20UM18R010T1AG Distributor
APTML20UM18R010T1AG Datová tabulka
APTML20UM18R010T1AG Fotky
APTML20UM18R010T1AG Cena
APTML20UM18R010T1AG Nabídka
APTML20UM18R010T1AG Nejnižší cena
APTML20UM18R010T1AG Vyhledávání
APTML20UM18R010T1AG Nákup
APTML20UM18R010T1AG Chip