Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PHKD3NQ10T,518
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Číslo dílu
PHKD3NQ10T,518
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
633pF @ 20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35665 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHKD3NQ10T,518
PHKD3NQ10T,518 Elektronické komponenty
PHKD3NQ10T,518 Odbyt
PHKD3NQ10T,518 Dodavatel
PHKD3NQ10T,518 Distributor
PHKD3NQ10T,518 Datová tabulka
PHKD3NQ10T,518 Fotky
PHKD3NQ10T,518 Cena
PHKD3NQ10T,518 Nabídka
PHKD3NQ10T,518 Nejnižší cena
PHKD3NQ10T,518 Vyhledávání
PHKD3NQ10T,518 Nákup
PHKD3NQ10T,518 Chip