Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PHN210T,118
MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
Číslo dílu
PHN210T,118
Výrobce/značka
Série
TrenchMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-65°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50420 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PHN210T,118
PHN210T,118 Elektronické komponenty
PHN210T,118 Odbyt
PHN210T,118 Dodavatel
PHN210T,118 Distributor
PHN210T,118 Datová tabulka
PHN210T,118 Fotky
PHN210T,118 Cena
PHN210T,118 Nabídka
PHN210T,118 Nejnižší cena
PHN210T,118 Vyhledávání
PHN210T,118 Nákup
PHN210T,118 Chip