PMCXB1000UEZ
MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
Číslo dílu
PMCXB1000UEZ
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-XFDFN Exposed Pad
Výkon - Max
285mW (Ta)
Dodavatelský balíček zařízení
DFN1010B-6
Typ FET
N and P-Channel Complementary
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
590mA (Ta), 410mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38131 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMCXB1000UEZ
PMCXB1000UEZ Elektronické komponenty
PMCXB1000UEZ Odbyt
PMCXB1000UEZ Dodavatel
PMCXB1000UEZ Distributor
PMCXB1000UEZ Datová tabulka
PMCXB1000UEZ Fotky
PMCXB1000UEZ Cena
PMCXB1000UEZ Nabídka
PMCXB1000UEZ Nejnižší cena
PMCXB1000UEZ Vyhledávání
PMCXB1000UEZ Nákup
PMCXB1000UEZ Chip