Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PMV30UN2R
MOSFET N-CH 20V SOT23
Číslo dílu
PMV30UN2R
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-236AB (SOT23)
Ztráta energie (max.)
490mW (Ta), 5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
655pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47096 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMV30UN2R
PMV30UN2R Elektronické komponenty
PMV30UN2R Odbyt
PMV30UN2R Dodavatel
PMV30UN2R Distributor
PMV30UN2R Datová tabulka
PMV30UN2R Fotky
PMV30UN2R Cena
PMV30UN2R Nabídka
PMV30UN2R Nejnižší cena
PMV30UN2R Vyhledávání
PMV30UN2R Nákup
PMV30UN2R Chip