PMXB360ENEAZ
MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
Číslo dílu
PMXB360ENEAZ
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-XDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
DFN1010D-3
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
130pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27723 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ Elektronické komponenty
PMXB360ENEAZ Odbyt
PMXB360ENEAZ Dodavatel
PMXB360ENEAZ Distributor
PMXB360ENEAZ Datová tabulka
PMXB360ENEAZ Fotky
PMXB360ENEAZ Cena
PMXB360ENEAZ Nabídka
PMXB360ENEAZ Nejnižší cena
PMXB360ENEAZ Vyhledávání
PMXB360ENEAZ Nákup
PMXB360ENEAZ Chip