PMXB56ENZ
MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G
Číslo dílu
PMXB56ENZ
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-XDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
DFN1010D-3
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
209pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46865 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMXB56ENZ
PMXB56ENZ Elektronické komponenty
PMXB56ENZ Odbyt
PMXB56ENZ Dodavatel
PMXB56ENZ Distributor
PMXB56ENZ Datová tabulka
PMXB56ENZ Fotky
PMXB56ENZ Cena
PMXB56ENZ Nabídka
PMXB56ENZ Nejnižší cena
PMXB56ENZ Vyhledávání
PMXB56ENZ Nákup
PMXB56ENZ Chip