PMXB65ENEZ
MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Číslo dílu
PMXB65ENEZ
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-XDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
DFN1010D-3
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
67 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
295pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36384 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMXB65ENEZ
PMXB65ENEZ Elektronické komponenty
PMXB65ENEZ Odbyt
PMXB65ENEZ Dodavatel
PMXB65ENEZ Distributor
PMXB65ENEZ Datová tabulka
PMXB65ENEZ Fotky
PMXB65ENEZ Cena
PMXB65ENEZ Nabídka
PMXB65ENEZ Nejnižší cena
PMXB65ENEZ Vyhledávání
PMXB65ENEZ Nákup
PMXB65ENEZ Chip