PMZB150UNEYL
MOSFET N-CH 20V SOT883
Číslo dílu
PMZB150UNEYL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-XFDFN
Dodavatelský balíček zařízení
DFN1006B-3
Ztráta energie (max.)
350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
93pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54916 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMZB150UNEYL
PMZB150UNEYL Elektronické komponenty
PMZB150UNEYL Odbyt
PMZB150UNEYL Dodavatel
PMZB150UNEYL Distributor
PMZB150UNEYL Datová tabulka
PMZB150UNEYL Fotky
PMZB150UNEYL Cena
PMZB150UNEYL Nabídka
PMZB150UNEYL Nejnižší cena
PMZB150UNEYL Vyhledávání
PMZB150UNEYL Nákup
PMZB150UNEYL Chip