PMZB600UNEYL
MOSFET N-CH 20V XQFN3
Číslo dílu
PMZB600UNEYL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-XFDFN
Dodavatelský balíček zařízení
DFN1006B-3
Ztráta energie (max.)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
21.3pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27723 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMZB600UNEYL
PMZB600UNEYL Elektronické komponenty
PMZB600UNEYL Odbyt
PMZB600UNEYL Dodavatel
PMZB600UNEYL Distributor
PMZB600UNEYL Datová tabulka
PMZB600UNEYL Fotky
PMZB600UNEYL Cena
PMZB600UNEYL Nabídka
PMZB600UNEYL Nejnižší cena
PMZB600UNEYL Vyhledávání
PMZB600UNEYL Nákup
PMZB600UNEYL Chip