PMZB950UPEYL
MOSFET P-CH 20V XQFN3
Číslo dílu
PMZB950UPEYL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-XFDFN
Dodavatelský balíček zařízení
DFN1006B-3
Ztráta energie (max.)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
43pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52646 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMZB950UPEYL
PMZB950UPEYL Elektronické komponenty
PMZB950UPEYL Odbyt
PMZB950UPEYL Dodavatel
PMZB950UPEYL Distributor
PMZB950UPEYL Datová tabulka
PMZB950UPEYL Fotky
PMZB950UPEYL Cena
PMZB950UPEYL Nabídka
PMZB950UPEYL Nejnižší cena
PMZB950UPEYL Vyhledávání
PMZB950UPEYL Nákup
PMZB950UPEYL Chip