Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
PMT200EN,115
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
Číslo dílu
PMT200EN,115
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223
Ztráta energie (max.)
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
235 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 80V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42738 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova PMT200EN,115
PMT200EN,115 Elektronické komponenty
PMT200EN,115 Odbyt
PMT200EN,115 Dodavatel
PMT200EN,115 Distributor
PMT200EN,115 Datová tabulka
PMT200EN,115 Fotky
PMT200EN,115 Cena
PMT200EN,115 Nabídka
PMT200EN,115 Nejnižší cena
PMT200EN,115 Vyhledávání
PMT200EN,115 Nákup
PMT200EN,115 Chip