Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
2SK536-TB-E

2SK536-TB-E

MOSFET N-CH 50V 0.1A
Číslo dílu
2SK536-TB-E
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
125°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SC-59
Ztráta energie (max.)
200mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
15pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30841 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova 2SK536-TB-E
2SK536-TB-E Elektronické komponenty
2SK536-TB-E Odbyt
2SK536-TB-E Dodavatel
2SK536-TB-E Distributor
2SK536-TB-E Datová tabulka
2SK536-TB-E Fotky
2SK536-TB-E Cena
2SK536-TB-E Nabídka
2SK536-TB-E Nejnižší cena
2SK536-TB-E Vyhledávání
2SK536-TB-E Nákup
2SK536-TB-E Chip