Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3
Číslo dílu
BVSS123LT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3
Ztráta energie (max.)
225mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22744 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova BVSS123LT1G
BVSS123LT1G Elektronické komponenty
BVSS123LT1G Odbyt
BVSS123LT1G Dodavatel
BVSS123LT1G Distributor
BVSS123LT1G Datová tabulka
BVSS123LT1G Fotky
BVSS123LT1G Cena
BVSS123LT1G Nabídka
BVSS123LT1G Nejnižší cena
BVSS123LT1G Vyhledávání
BVSS123LT1G Nákup
BVSS123LT1G Chip