Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDA20N50-F109
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
Číslo dílu
FDA20N50-F109
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PN
Ztráta energie (max.)
280W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
230 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3120pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30067 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDA20N50-F109
FDA20N50-F109 Elektronické komponenty
FDA20N50-F109 Odbyt
FDA20N50-F109 Dodavatel
FDA20N50-F109 Distributor
FDA20N50-F109 Datová tabulka
FDA20N50-F109 Fotky
FDA20N50-F109 Cena
FDA20N50-F109 Nabídka
FDA20N50-F109 Nejnižší cena
FDA20N50-F109 Vyhledávání
FDA20N50-F109 Nákup
FDA20N50-F109 Chip