Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDAF59N30

FDAF59N30

MOSFET N-CH 300V 34A TO-3PF
Číslo dílu
FDAF59N30
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
SC-94
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PF
Ztráta energie (max.)
161W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
56 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4670pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54219 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDAF59N30
FDAF59N30 Elektronické komponenty
FDAF59N30 Odbyt
FDAF59N30 Dodavatel
FDAF59N30 Distributor
FDAF59N30 Datová tabulka
FDAF59N30 Fotky
FDAF59N30 Cena
FDAF59N30 Nabídka
FDAF59N30 Nejnižší cena
FDAF59N30 Vyhledávání
FDAF59N30 Nákup
FDAF59N30 Chip