FDB0165N807L
MOSFET N-CH 80V 310A TO263
Číslo dílu
FDB0165N807L
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
310A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.6 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
304nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
23660pF @ 40V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35898 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDB0165N807L
FDB0165N807L Elektronické komponenty
FDB0165N807L Odbyt
FDB0165N807L Dodavatel
FDB0165N807L Distributor
FDB0165N807L Datová tabulka
FDB0165N807L Fotky
FDB0165N807L Cena
FDB0165N807L Nabídka
FDB0165N807L Nejnižší cena
FDB0165N807L Vyhledávání
FDB0165N807L Nákup
FDB0165N807L Chip