Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDB33N25TM

FDB33N25TM

MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
Číslo dílu
FDB33N25TM
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK
Ztráta energie (max.)
235W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
94 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2135pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30121 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDB33N25TM
FDB33N25TM Elektronické komponenty
FDB33N25TM Odbyt
FDB33N25TM Dodavatel
FDB33N25TM Distributor
FDB33N25TM Datová tabulka
FDB33N25TM Fotky
FDB33N25TM Cena
FDB33N25TM Nabídka
FDB33N25TM Nejnižší cena
FDB33N25TM Vyhledávání
FDB33N25TM Nákup
FDB33N25TM Chip