Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDC021N30
PT8 N 30V/20V, MOSFET
Číslo dílu
FDC021N30
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT™-6
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
710pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22243 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDC021N30
FDC021N30 Elektronické komponenty
FDC021N30 Odbyt
FDC021N30 Dodavatel
FDC021N30 Distributor
FDC021N30 Datová tabulka
FDC021N30 Fotky
FDC021N30 Cena
FDC021N30 Nabídka
FDC021N30 Nejnižší cena
FDC021N30 Vyhledávání
FDC021N30 Nákup
FDC021N30 Chip