Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDD3510H

FDD3510H

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Číslo dílu
FDD3510H
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Výkon - Max
1.3W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252-4L
Typ FET
N and P-Channel, Common Drain
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
80V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.3A, 2.8A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 40V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26422 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDD3510H
FDD3510H Elektronické komponenty
FDD3510H Odbyt
FDD3510H Dodavatel
FDD3510H Distributor
FDD3510H Datová tabulka
FDD3510H Fotky
FDD3510H Cena
FDD3510H Nabídka
FDD3510H Nejnižší cena
FDD3510H Vyhledávání
FDD3510H Nákup
FDD3510H Chip