FDN302P
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
Číslo dílu
FDN302P
Výrobce/značka
Série
PowerTrench®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT-3
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
882pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15029 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDN302P
FDN302P Elektronické komponenty
FDN302P Odbyt
FDN302P Dodavatel
FDN302P Distributor
FDN302P Datová tabulka
FDN302P Fotky
FDN302P Cena
FDN302P Nabídka
FDN302P Nejnižší cena
FDN302P Vyhledávání
FDN302P Nákup
FDN302P Chip