Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDP80N06

FDP80N06

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Číslo dílu
FDP80N06
Výrobce/značka
Série
UniFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
176W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
74nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3190pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17276 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDP80N06
FDP80N06 Elektronické komponenty
FDP80N06 Odbyt
FDP80N06 Dodavatel
FDP80N06 Distributor
FDP80N06 Datová tabulka
FDP80N06 Fotky
FDP80N06 Cena
FDP80N06 Nabídka
FDP80N06 Nejnižší cena
FDP80N06 Vyhledávání
FDP80N06 Nákup
FDP80N06 Chip