Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDV302P

FDV302P

MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
Číslo dílu
FDV302P
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23
Ztráta energie (max.)
350mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
0.31nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45769 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDV302P
FDV302P Elektronické komponenty
FDV302P Odbyt
FDV302P Dodavatel
FDV302P Distributor
FDV302P Datová tabulka
FDV302P Fotky
FDV302P Cena
FDV302P Nabídka
FDV302P Nejnižší cena
FDV302P Vyhledávání
FDV302P Nákup
FDV302P Chip