Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDV303N

FDV303N

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
Číslo dílu
FDV303N
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23
Ztráta energie (max.)
350mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
680mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14997 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FDV303N
FDV303N Elektronické komponenty
FDV303N Odbyt
FDV303N Dodavatel
FDV303N Distributor
FDV303N Datová tabulka
FDV303N Fotky
FDV303N Cena
FDV303N Nabídka
FDV303N Nejnižší cena
FDV303N Vyhledávání
FDV303N Nákup
FDV303N Chip