Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQA6N80_F109

FQA6N80_F109

MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P
Číslo dílu
FQA6N80_F109
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PN
Ztráta energie (max.)
185W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.95 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28183 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQA6N80_F109
FQA6N80_F109 Elektronické komponenty
FQA6N80_F109 Odbyt
FQA6N80_F109 Dodavatel
FQA6N80_F109 Distributor
FQA6N80_F109 Datová tabulka
FQA6N80_F109 Fotky
FQA6N80_F109 Cena
FQA6N80_F109 Nabídka
FQA6N80_F109 Nejnižší cena
FQA6N80_F109 Vyhledávání
FQA6N80_F109 Nákup
FQA6N80_F109 Chip