Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQAF11N90C

FQAF11N90C

MOSFET N-CH 900V 7A TO-3PF
Číslo dílu
FQAF11N90C
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
SC-94
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3PF
Ztráta energie (max.)
120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.1 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3290pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43484 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQAF11N90C
FQAF11N90C Elektronické komponenty
FQAF11N90C Odbyt
FQAF11N90C Dodavatel
FQAF11N90C Distributor
FQAF11N90C Datová tabulka
FQAF11N90C Fotky
FQAF11N90C Cena
FQAF11N90C Nabídka
FQAF11N90C Nejnižší cena
FQAF11N90C Vyhledávání
FQAF11N90C Nákup
FQAF11N90C Chip