Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
Číslo dílu
FQB10N20LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 87W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35751 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB10N20LTM
FQB10N20LTM Elektronické komponenty
FQB10N20LTM Odbyt
FQB10N20LTM Dodavatel
FQB10N20LTM Distributor
FQB10N20LTM Datová tabulka
FQB10N20LTM Fotky
FQB10N20LTM Cena
FQB10N20LTM Nabídka
FQB10N20LTM Nejnižší cena
FQB10N20LTM Vyhledávání
FQB10N20LTM Nákup
FQB10N20LTM Chip