Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
Číslo dílu
FQB17P10TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 100W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
190 mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21695 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB17P10TM
FQB17P10TM Elektronické komponenty
FQB17P10TM Odbyt
FQB17P10TM Dodavatel
FQB17P10TM Distributor
FQB17P10TM Datová tabulka
FQB17P10TM Fotky
FQB17P10TM Cena
FQB17P10TM Nabídka
FQB17P10TM Nejnižší cena
FQB17P10TM Vyhledávání
FQB17P10TM Nákup
FQB17P10TM Chip