FQB22P10TM
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
Číslo dílu
FQB22P10TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.75W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
125 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48708 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB22P10TM
FQB22P10TM Elektronické komponenty
FQB22P10TM Odbyt
FQB22P10TM Dodavatel
FQB22P10TM Distributor
FQB22P10TM Datová tabulka
FQB22P10TM Fotky
FQB22P10TM Cena
FQB22P10TM Nabídka
FQB22P10TM Nejnižší cena
FQB22P10TM Vyhledávání
FQB22P10TM Nákup
FQB22P10TM Chip