Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB2N80TM
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
Číslo dílu
FQB2N80TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 85W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 54871 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB2N80TM
FQB2N80TM Elektronické komponenty
FQB2N80TM Odbyt
FQB2N80TM Dodavatel
FQB2N80TM Distributor
FQB2N80TM Datová tabulka
FQB2N80TM Fotky
FQB2N80TM Cena
FQB2N80TM Nabídka
FQB2N80TM Nejnižší cena
FQB2N80TM Vyhledávání
FQB2N80TM Nákup
FQB2N80TM Chip