Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQB2NA90TM
MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK
Číslo dílu
FQB2NA90TM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
900V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.8 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15478 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB2NA90TM
FQB2NA90TM Elektronické komponenty
FQB2NA90TM Odbyt
FQB2NA90TM Dodavatel
FQB2NA90TM Distributor
FQB2NA90TM Datová tabulka
FQB2NA90TM Fotky
FQB2NA90TM Cena
FQB2NA90TM Nabídka
FQB2NA90TM Nejnižší cena
FQB2NA90TM Vyhledávání
FQB2NA90TM Nákup
FQB2NA90TM Chip