FQB8N60CTM
MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Číslo dílu
FQB8N60CTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263AB)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 147W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1255pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47861 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQB8N60CTM
FQB8N60CTM Elektronické komponenty
FQB8N60CTM Odbyt
FQB8N60CTM Dodavatel
FQB8N60CTM Distributor
FQB8N60CTM Datová tabulka
FQB8N60CTM Fotky
FQB8N60CTM Cena
FQB8N60CTM Nabídka
FQB8N60CTM Nejnižší cena
FQB8N60CTM Vyhledávání
FQB8N60CTM Nákup
FQB8N60CTM Chip