FQD5N20LTM
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
Číslo dílu
FQD5N20LTM
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5295 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQD5N20LTM
FQD5N20LTM Elektronické komponenty
FQD5N20LTM Odbyt
FQD5N20LTM Dodavatel
FQD5N20LTM Distributor
FQD5N20LTM Datová tabulka
FQD5N20LTM Fotky
FQD5N20LTM Cena
FQD5N20LTM Nabídka
FQD5N20LTM Nejnižší cena
FQD5N20LTM Vyhledávání
FQD5N20LTM Nákup
FQD5N20LTM Chip