Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQD8P10TF

FQD8P10TF

MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Číslo dílu
FQD8P10TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
530 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
470pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42084 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQD8P10TF
FQD8P10TF Elektronické komponenty
FQD8P10TF Odbyt
FQD8P10TF Dodavatel
FQD8P10TF Distributor
FQD8P10TF Datová tabulka
FQD8P10TF Fotky
FQD8P10TF Cena
FQD8P10TF Nabídka
FQD8P10TF Nejnižší cena
FQD8P10TF Vyhledávání
FQD8P10TF Nákup
FQD8P10TF Chip