Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI2N30TU
MOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK
Číslo dílu
FQI2N30TU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.7 Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
130pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48987 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FQI2N30TU
FQI2N30TU Elektronické komponenty
FQI2N30TU Odbyt
FQI2N30TU Dodavatel
FQI2N30TU Distributor
FQI2N30TU Datová tabulka
FQI2N30TU Fotky
FQI2N30TU Cena
FQI2N30TU Nabídka
FQI2N30TU Nejnižší cena
FQI2N30TU Vyhledávání
FQI2N30TU Nákup
FQI2N30TU Chip