Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI4N20LTU

FQI4N20LTU

MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK
Číslo dílu
FQI4N20LTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
3.13W (Ta), 45W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.35 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
310pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49952 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQI4N20LTU
FQI4N20LTU Elektronické komponenty
FQI4N20LTU Odbyt
FQI4N20LTU Dodavatel
FQI4N20LTU Distributor
FQI4N20LTU Datová tabulka
FQI4N20LTU Fotky
FQI4N20LTU Cena
FQI4N20LTU Nabídka
FQI4N20LTU Nejnižší cena
FQI4N20LTU Vyhledávání
FQI4N20LTU Nákup
FQI4N20LTU Chip