Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQI6N60CTU

FQI6N60CTU

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Číslo dílu
FQI6N60CTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Dodavatelský balíček zařízení
I2PAK (TO-262)
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
810pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28864 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQI6N60CTU
FQI6N60CTU Elektronické komponenty
FQI6N60CTU Odbyt
FQI6N60CTU Dodavatel
FQI6N60CTU Distributor
FQI6N60CTU Datová tabulka
FQI6N60CTU Fotky
FQI6N60CTU Cena
FQI6N60CTU Nabídka
FQI6N60CTU Nejnižší cena
FQI6N60CTU Vyhledávání
FQI6N60CTU Nákup
FQI6N60CTU Chip