Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQP630TSTU

FQP630TSTU

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Číslo dílu
FQP630TSTU
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220-3
Ztráta energie (max.)
78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48224 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQP630TSTU
FQP630TSTU Elektronické komponenty
FQP630TSTU Odbyt
FQP630TSTU Dodavatel
FQP630TSTU Distributor
FQP630TSTU Datová tabulka
FQP630TSTU Fotky
FQP630TSTU Cena
FQP630TSTU Nabídka
FQP630TSTU Nejnižší cena
FQP630TSTU Vyhledávání
FQP630TSTU Nákup
FQP630TSTU Chip