Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FQT3P20TF

FQT3P20TF

MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
Číslo dílu
FQT3P20TF
Výrobce/značka
Série
QFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223-4
Ztráta energie (max.)
2.5W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
670mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.7 Ohm @ 335mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42783 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova FQT3P20TF
FQT3P20TF Elektronické komponenty
FQT3P20TF Odbyt
FQT3P20TF Dodavatel
FQT3P20TF Distributor
FQT3P20TF Datová tabulka
FQT3P20TF Fotky
FQT3P20TF Cena
FQT3P20TF Nabídka
FQT3P20TF Nejnižší cena
FQT3P20TF Vyhledávání
FQT3P20TF Nákup
FQT3P20TF Chip