Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HGT1S10N120BNS
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Číslo dílu
HGT1S10N120BNS
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Výkon - Max
298W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263AB
Reverzní doba zotavení (trr)
-
Proud – kolektor (Ic) (Max)
35A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
typ IGBT
NPT
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
80A
Přechod energie
320µJ (on), 800µJ (off)
Poplatky za bránu
100nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
23ns/165ns
Zkouška stavu
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36853 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova HGT1S10N120BNS
HGT1S10N120BNS Elektronické komponenty
HGT1S10N120BNS Odbyt
HGT1S10N120BNS Dodavatel
HGT1S10N120BNS Distributor
HGT1S10N120BNS Datová tabulka
HGT1S10N120BNS Fotky
HGT1S10N120BNS Cena
HGT1S10N120BNS Nabídka
HGT1S10N120BNS Nejnižší cena
HGT1S10N120BNS Vyhledávání
HGT1S10N120BNS Nákup
HGT1S10N120BNS Chip