Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
HGT1S12N60A4DS
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Číslo dílu
HGT1S12N60A4DS
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Výkon - Max
167W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263AB
Reverzní doba zotavení (trr)
30ns
Proud – kolektor (Ic) (Max)
54A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
600V
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
96A
Přechod energie
55µJ (on), 50µJ (off)
Poplatky za bránu
78nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
17ns/96ns
Zkouška stavu
390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24801 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova HGT1S12N60A4DS
HGT1S12N60A4DS Elektronické komponenty
HGT1S12N60A4DS Odbyt
HGT1S12N60A4DS Dodavatel
HGT1S12N60A4DS Distributor
HGT1S12N60A4DS Datová tabulka
HGT1S12N60A4DS Fotky
HGT1S12N60A4DS Cena
HGT1S12N60A4DS Nabídka
HGT1S12N60A4DS Nejnižší cena
HGT1S12N60A4DS Vyhledávání
HGT1S12N60A4DS Nákup
HGT1S12N60A4DS Chip