MMSF3P02HDR2
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
Číslo dílu
MMSF3P02HDR2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SOIC
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
75 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36442 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MMSF3P02HDR2
MMSF3P02HDR2 Elektronické komponenty
MMSF3P02HDR2 Odbyt
MMSF3P02HDR2 Dodavatel
MMSF3P02HDR2 Distributor
MMSF3P02HDR2 Datová tabulka
MMSF3P02HDR2 Fotky
MMSF3P02HDR2 Cena
MMSF3P02HDR2 Nabídka
MMSF3P02HDR2 Nejnižší cena
MMSF3P02HDR2 Vyhledávání
MMSF3P02HDR2 Nákup
MMSF3P02HDR2 Chip