MTB50P03HDLT4G
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
Číslo dílu
MTB50P03HDLT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33479 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MTB50P03HDLT4G
MTB50P03HDLT4G Elektronické komponenty
MTB50P03HDLT4G Odbyt
MTB50P03HDLT4G Dodavatel
MTB50P03HDLT4G Distributor
MTB50P03HDLT4G Datová tabulka
MTB50P03HDLT4G Fotky
MTB50P03HDLT4G Cena
MTB50P03HDLT4G Nabídka
MTB50P03HDLT4G Nejnižší cena
MTB50P03HDLT4G Vyhledávání
MTB50P03HDLT4G Nákup
MTB50P03HDLT4G Chip