Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDD60N550U1T4G
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
Číslo dílu
NDD60N550U1T4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
94W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52354 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDD60N550U1T4G
NDD60N550U1T4G Elektronické komponenty
NDD60N550U1T4G Odbyt
NDD60N550U1T4G Dodavatel
NDD60N550U1T4G Distributor
NDD60N550U1T4G Datová tabulka
NDD60N550U1T4G Fotky
NDD60N550U1T4G Cena
NDD60N550U1T4G Nabídka
NDD60N550U1T4G Nejnižší cena
NDD60N550U1T4G Vyhledávání
NDD60N550U1T4G Nákup
NDD60N550U1T4G Chip