NDS332P
MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3
Číslo dílu
NDS332P
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SuperSOT-3
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 1.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
195pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.7V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43680 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDS332P
NDS332P Elektronické komponenty
NDS332P Odbyt
NDS332P Dodavatel
NDS332P Distributor
NDS332P Datová tabulka
NDS332P Fotky
NDS332P Cena
NDS332P Nabídka
NDS332P Nejnižší cena
NDS332P Vyhledávání
NDS332P Nákup
NDS332P Chip