Koupit ON Semiconductor NDT01N60T1G MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Číslo dílu

NDT01N60T1G

Výrobce/značka

ON Semiconductor

Série

Stav sekce

Obsolete

Obal

Tape & Reel (TR)

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Surface Mount

Balíček/pouzdro

TO-261-4, TO-261AA

Dodavatelský balíček zařízení

SOT-223 (TO-261)

Ztráta energie (max.)

2.5W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

600V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

400mA (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

8.5 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 50µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 29749 PCS

Kontaktní informace

Související produkty