Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NE5517DR2G

NE5517DR2G

IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC
Číslo dílu
NE5517DR2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Proud - Napájení
2.6mA
Provozní teplota
0°C ~ 70°C
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Typ výstupu
Push-Pull
Dodavatelský balíček zařízení
16-SOIC
Počet okruhů
2
Typ zesilovače
Transconductance
Proud - Výstup / Kanál
650µA
Rychlost změny napětí
50 V/µs
- Šířka pásma 3dB
-
Napětí – napájení, jednoduché/dvojité (�)
4 V ~ 44 V, ±2 V ~ 22 V
Získejte produkty na šířku pásma
2MHz
Proud - Vstupní zkreslení
400nA
Napětí - Vstupní offset
400µV
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47278 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NE5517DR2G
NE5517DR2G Elektronické komponenty
NE5517DR2G Odbyt
NE5517DR2G Dodavatel
NE5517DR2G Distributor
NE5517DR2G Datová tabulka
NE5517DR2G Fotky
NE5517DR2G Cena
NE5517DR2G Nabídka
NE5517DR2G Nejnižší cena
NE5517DR2G Vyhledávání
NE5517DR2G Nákup
NE5517DR2G Chip