Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTD110N02R-001G
MOSFET N-CH 24V 12.5A IPAK
Číslo dílu
NTD110N02R-001G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta), 110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
24V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12.5A (Ta), 110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3440pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49762 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTD110N02R-001G
NTD110N02R-001G Elektronické komponenty
NTD110N02R-001G Odbyt
NTD110N02R-001G Dodavatel
NTD110N02R-001G Distributor
NTD110N02R-001G Datová tabulka
NTD110N02R-001G Fotky
NTD110N02R-001G Cena
NTD110N02R-001G Nabídka
NTD110N02R-001G Nejnižší cena
NTD110N02R-001G Vyhledávání
NTD110N02R-001G Nákup
NTD110N02R-001G Chip